制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=2.8 A, 3针, SOT-223, ISP系列

RS 库存编号:: 243-9271
制造商零件编号:: ISP12DP06NMXTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=2.8 A, 3针, SOT-223, ISP系列

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10 - 95	RMB10.006	RMB50.03
100 - 245	RMB9.764	RMB48.82
250 - 495	RMB9.534	RMB47.67
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RS 库存编号:: 243-9271
制造商零件编号:: ISP12DP06NMXTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	2.8A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SOT-223
	系列	ISP
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.7mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 2.8A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SOT-223
	系列 ISP
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - ISP12DP06NMXTSA1

Infineon P 通道小信号晶体管采用无铅引线电镀。MOSFET 的漏电流和漏-源电压分别为 -2.8 A 和 -60V。超低电阻值。工作温度 -55 °C 至 150 °C。

表面贴装技术

逻辑电平可用性

易于连接到微控制器装置 (MCU)

快速切换

雪崩耐量高

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