Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 1.9 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, ISP25DP06NMXTSA1, ISP系列
- RS 库存编号:
- 243-9275
- 制造商零件编号:
- ISP25DP06NMXTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB4.906 | RMB24.53 |
| 10 - 95 | RMB4.788 | RMB23.94 |
| 100 - 245 | RMB4.672 | RMB23.36 |
| 250 - 495 | RMB4.558 | RMB22.79 |
| 500 + | RMB4.45 | RMB22.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 243-9275
- 制造商零件编号:
- ISP25DP06NMXTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | ISP | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.9A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 ISP | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon P 通道小信号晶体管采用无铅引线电镀。MOSFET 的漏电流和漏-源电压分别为 -1.9 A 和 -60V。超低电阻值。工作温度 -55 °C 至 150 °C。
表面贴装技术
逻辑电平可用性
易于连接到微控制器装置 (MCU)
快速切换
雪崩耐量高