Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3.7 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, ISP650P06NMXTSA1, ISP系列

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RS 库存编号:
243-9277
制造商零件编号:
ISP650P06NMXTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-223

系列

ISP

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon P 通道小信号晶体管采用无铅引线电镀。MOSFET 的漏电流和漏-源电压分别为 -3.7A 和 -60V。超低电阻值。工作温度 -55 °C 至 150 °C。

表面贴装技术

逻辑电平可用性

易于连接到微控制器装置 (MCU)

快速切换

雪崩耐量高

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。