Infineon P型, N型沟道MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=-55 V, Id=4.7 A, 8针, SOIC, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 243-9287
- 制造商零件编号:
- AUIRF7343QTR
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 243-9287
- 制造商零件编号:
- AUIRF7343QTR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | -55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.11mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.7A | ||
最大漏源电压 Vd -55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.11mΩ | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon AUIRF7343QTR 专门设计用于汽车应用,这些 HEXFET® 功率 MOSFET 采用双 SO-8 封装,利用最新处理技术,可实现每硅区域的极低接通电阻。这些符合汽车标准的 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 150°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复浪涌额定值。
高级平面技术,
超低接通电阻,
逻辑电平门
驱动,双 N 和 P 通道 MOSFET,
表面安装,
提供胶带和卷装,工作温度
为
150°C,无铅,符合 RoHS 标准
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