Infineon N/P沟道MOS管, Vds=55 V, 4 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 243-9288P
- 制造商零件编号:
- AUIRF7343QTR
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB12.075 |
| 100 - 248 | RMB11.71 |
| 250 - 498 | RMB11.34 |
| 500 + | RMB10.97 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 243-9288P
- 制造商零件编号:
- AUIRF7343QTR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
封装类型 SOIC | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Infineon AUIRF7343QTR 专门设计用于汽车应用,这些 HEXFET® 功率 MOSFET 采用双 SO-8 封装,利用最新处理技术,可实现每硅区域的极低接通电阻。这些符合汽车标准的 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 150°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复浪涌额定值。
高级平面技术,
超低接通电阻,
逻辑电平门
驱动,双 N 和 P 通道 MOSFET,
表面安装,
提供胶带和卷装,工作温度
为
150°C,无铅,符合 RoHS 标准
超低接通电阻,
逻辑电平门
驱动,双 N 和 P 通道 MOSFET,
表面安装,
提供胶带和卷装,工作温度
为
150°C,无铅,符合 RoHS 标准