制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=11 A, 8针, PQFN, IRFH系列

RS 库存编号:: 243-9300
制造商零件编号:: IRL100HS121
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=11 A, 8针, PQFN, IRFH系列

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单位	每单位	每卷*
4000 - 4000	RMB2.356	RMB9,424.00
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RS 库存编号:: 243-9300
制造商零件编号:: IRL100HS121
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	11A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	PQFN
	系列	IRFH
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	81W
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 11A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 PQFN
	系列 IRFH
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 81W
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IRL100HS121

Infineon IRL100HS121 N 通道功率 MOSFET 提供三种不同的电压类别（60V、80V 和 100V），Infineon 新型逻辑电平功率 MOSFET 非常适合于无线充电、电信和适配器应用。PQFN 2x2 封装特别适合于高速切换和物理尺寸起到决定性作用的应用。功率密度和效率更高，显著节省空间。

最低 FOM (R DS(on)x Q g/gd)

优化 Q g、C oss 和 Q rr，可实现快速切换

兼容逻辑电平

微型 PQFN 2x2mm 封装

更高的功率密度设计

更高的开关频率

选用 OptiMOSTM5 芯片

可减少 5V 供电处的部件数量

直接由微控制器驱动（慢切换）

系统成本降低

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=11 A, 8针, PQFN, IRFH系列

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