Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 11 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IRFH系列
- RS 库存编号:
- 243-9303P
- 制造商零件编号:
- IRL60HS118
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB3.554 |
| 100 - 245 | RMB3.47 |
| 250 - 495 | RMB3.386 |
| 500 + | RMB3.304 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 243-9303P
- 制造商零件编号:
- IRL60HS118
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | IRFH | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.7mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 IRFH | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IRL60HS118 N 通道功率 MOSFET 提供三种不同的电压类别（60 V、80 V 和 100 V），Infineon 新型逻辑电平功率 MOSFET 非常适合于无线充电、电信和适配器应用。PQFN 2x2 封装特别适合于高速切换和物理尺寸起到决定性作用的应用。功率密度和效率更高，显著节省空间。
更高的功率密度设计
更高的开关频率
选用 OptiMOSTM5 芯片
可减少 5V 供电处的部件数量
直接由微控制器驱动（慢切换）
系统成本降低