Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=60 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, IAUC系列
- RS 库存编号:
- 243-9314P
- 制造商零件编号:
- IAUC60N04S6N044ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB7.912 |
| 100 - 245 | RMB7.72 |
| 250 - 495 | RMB7.536 |
| 500 + | RMB7.354 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 243-9314P
- 制造商零件编号:
- IAUC60N04S6N044ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 系列 | IAUC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
系列 IAUC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IAUC 系列 MOSFET,20V 最大漏源电压,60A 最大连续漏电流 - IAUC60N04S6N044ATMA1
这款 MOSFET 是一款 N 通道增强模式晶体管,专为汽车和工业环境中的高电流开关而设计。它可在宽温度范围内运行,专为需要稳健排放源处理和栅极控制的表面贴装集成而设计。
特性和优点:
• 低导通电阻 1.4mΩ,可减少传导损耗
• 高连续排放电流 60 A,支持重负载
• 漏源电压 20 V,支持低压系统使用
• 功耗为 81W,可实现持久的热性能
• 栅极电荷 80 nC,提供可预测的开关能量
• 栅极源电压额定值为 20 V,可实现宽驱动空间
• 高连续排放电流 60 A,支持重负载
• 漏源电压 20 V,支持低压系统使用
• 功耗为 81W,可实现持久的热性能
• 栅极电荷 80 nC,提供可预测的开关能量
• 栅极源电压额定值为 20 V,可实现宽驱动空间
应用
• 用于汽车系统中的直流电机驱动器
• 适用于电池管理和配电
• 适用于控制模块上的高电流负载切换
• 可用于车辆电子设备的电力转换
• 在恶劣环境中与热管理系统配合使用
• 适用于电池管理和配电
• 适用于控制模块上的高电流负载切换
• 可用于车辆电子设备的电力转换
• 在恶劣环境中与热管理系统配合使用
它在运行过程中可承受哪些极端温度?
它的额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C,可适应广泛的环境和热条件。
电路板组装提供哪种封装和安装方式?
它采用 SuperSO8 5x6 封装,适用于表面安装。
其监管状态对生产选择有何影响?
它符合RoHS指令,表明使用受限物质符合常见制造要求。
这款车辆电子设备适用哪些汽车认证?
它符合 AEC‐Q101 汽车认证,适用于汽车组件规格。
