Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 80 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, IAUC80N04S6N036ATMA1, IAUC系列

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包装方式:
RS 库存编号:
243-9317P
制造商零件编号:
IAUC80N04S6N036ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SuperSO8 5 x 6

系列

IAUC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 提供的此款 MOSFET 是一款针对汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET,采用 N 通道增强模式逻辑电平并且经 AEC Q101 认证。

N 通道

通过 100% 雪崩测试

经 AEC Q101 认证

MSL1 高达 260°C 的峰值回流温度

工作温度 175°C

节能产品(符合 RoHS 标准)

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。