Infineon N型沟道 双 N 沟道正常电平增强模式 双N型 MOSFET, Vds=100 V, 16 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, IPG16N10S4-61系列, IPG16N10S461ATMA1
- RS 库存编号:
- 243-9342
- 制造商零件编号:
- IPG16N10S461ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB5.50 | RMB27.50 |
| 10 - 95 | RMB5.368 | RMB26.84 |
| 100 - 245 | RMB5.238 | RMB26.19 |
| 250 - 495 | RMB5.112 | RMB25.56 |
| 500 + | RMB4.99 | RMB24.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 243-9342
- 制造商零件编号:
- IPG16N10S461ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | IPG16N10S4-61 | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 双N | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 29W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 双 N 沟道正常电平增强模式 | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 16A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 IPG16N10S4-61 | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 双N | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 29W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 双 N 沟道正常电平增强模式 | ||
标准/认证 RoHS, AEC Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 提供的此款 MOSFET 是一款双 N 通道常规逻辑电平 MOSFET，经 AEC Q101 认证并通过 100% 雪崩测试。
N 通道
通过 100% 雪崩测试
经 AEC Q101 认证
MSL1 高达 260°C 的峰值回流温度
工作温度 175°C
节能产品（符合 RoHS 标准）