ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1.2 V, 10.3 A, DFN0806-3, 3引脚, RV1C002UNT2CL, RV1C002UN系列

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制造商零件编号:
RV1C002UNT2CL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

10.3A

最大漏源电压 Vd

1.2V

包装类型

DFN0806-3

系列

RV1C002UN

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

104W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS, Pb-free lead plating

汽车标准

ROHM MOSFET 具有内置 ESD 保护二极管,并随附超小型 VML0806 封装。它的存储温度范围为 -55°C 至 155°C ,适用于一般整流。

低电压驱动 (1.2V) 型

超小型封装 (0806 尺寸)

用于可分割的设备。

驱动电路可以很简单。

内置 ESD 保护二极管。