Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50N10S3L16ATMA1, IPD系列

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包装方式:
RS 库存编号:
244-0878
制造商零件编号:
IPD50N10S3L16ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

180A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-252

系列

IPD

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon MOSFET OptiMOSTM 功率晶体管是符合 RoHS 的绿色产品,获得汽车 AEC Q101 认证。

N 通道 - 增强模式

MSL1 高达 260°C 峰值回流

175°C 工作温度

100% Avalanche 测试