制造商编号

Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50N10S3L16ATMA1, IPD系列

RS 库存编号:: 244-0878
制造商零件编号:: IPD50N10S3L16ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50N10S3L16ATMA1, IPD系列

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100 - 248	RMB22.905	RMB45.81
250 - 498	RMB22.355	RMB44.71
500 +	RMB21.83	RMB43.66

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RS 库存编号:: 244-0878
制造商零件编号:: IPD50N10S3L16ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	180A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-252
	系列	IPD
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 180A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-252
	系列 IPD
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPD50N10S3L16ATMA1

Infineon MOSFET OptiMOSTM 功率晶体管是符合 RoHS 的绿色产品，获得汽车 AEC Q101 认证。

N 通道 - 增强模式

MSL1 高达 260°C 峰值回流

175°C 工作温度

100% Avalanche 测试

Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50N10S3L16ATMA1, IPD系列

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