Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 244-0883P
- 制造商零件编号:
- IPD95R750P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB14.955 |
| 100 - 248 | RMB14.59 |
| 250 - 498 | RMB14.245 |
| 500 + | RMB13.905 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-0883P
- 制造商零件编号:
- IPD95R750P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IPD 系列 MOSFET,100V 漏源电压,180A 连续漏电流 - IPD95R750P7ATMA1
这款 MOSFET 是一款专为表面贴装电源应用设计的高电流开关晶体管,可在宽温度范围内工作,适用于严苛环境。它是一款采用 TO-252 格式封装的 N 通道设备,适用于需要强大的栅极驱动和强大的连续漏极电流的应用场景。
特性和优点:
• 100V 漏电耐受性支持高压切换
• 180A 连续漏电流,可承受重负载
• 0.7mΩ RDS(on),可最大限度减少负载下的传导损耗
• 81W 耗散功率,可实现持久供电
• 80nC 栅极电荷平衡开关速度和驱动要求
• 20V 栅极额定值为常见栅极驱动器提供空间
• 180A 连续漏电流,可承受重负载
• 0.7mΩ RDS(on),可最大限度减少负载下的传导损耗
• 81W 耗散功率,可实现持久供电
• 80nC 栅极电荷平衡开关速度和驱动要求
• 20V 栅极额定值为常见栅极驱动器提供空间
应用
• 适用于汽车配电模块
• 适用于电动系统中的电机驱动级
• 与高电流电源中的直流-直流转换器配合使用
• 可用于电池保护和管理
• 适用于工业逆变器的高功率开关
• 适用于电动系统中的电机驱动级
• 与高电流电源中的直流-直流转换器配合使用
• 可用于电池保护和管理
• 适用于工业逆变器的高功率开关
它能在什么温度范围内稳定运行?
它的额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于长期运行条件。
引脚配置对安装有何影响?
三针排列采用TO-252表面贴装封装,便于紧凑型PCB布局和高效导热。
哪些材料或认证表明符合受限物质的要求?
它符合电子组件中受限物质的 RoHS 要求。
该设备是否适用于汽车认证标准?
它符合适用于汽车分立半导体的 AEC-Q101 标准。
