Infineon P沟道MOS管, Vds=55 V, 31 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 244-0891P
- 制造商零件编号:
- AUIRFR5305TR
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB25.70 |
| 100 - 248 | RMB25.09 |
| 250 - 498 | RMB24.485 |
| 500 + | RMB23.895 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-0891P
- 制造商零件编号:
- AUIRFR5305TR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 31 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 31 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon MOSFET 专为汽车应用设计，这种 HEXFET® Power MOSFET 的蜂窝状平面设计利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。
先进的平面技术
低导通电阻
动态 dv/dt 额定值
175°C 工作温度
低导通电阻
动态 dv/dt 额定值
175°C 工作温度