Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=800 V, 400 A, TO-263, 表面安装, 8引脚, IPT系列
- RS 库存编号:
- 244-0902P
- 制造商零件编号:
- IPT012N08N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-0902P
- 制造商零件编号:
- IPT012N08N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 400A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IPT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 400A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IPT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 的 TO-Leadless 封装 OptiMOS power MOSFET 针对高达 300 A 的高电流应用进行了优化，例如叉车、轻型电动汽车（LEV）、电动工具、负载点（POL）、电信和电子保险丝。此外，封装尺寸缩小了 60%，实现了非常紧凑的设计。
N 沟道，正常能级
100% 通过崩溃测试
无铅镀层
符合 RoHS 标准