Infineon N沟道MOSFET, Vds=800 V, Id=400 A, 8针, TO-263, IPT系列

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包装方式：
RS 库存编号:
244-0902P
制造商零件编号:
IPT012N08N5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

400A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-263

系列

IPT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon IPT 系列 MOSFET,800V 最大漏源电压,400A 最大连续漏电流 - IPT012N08N5ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电压高电流开关设备,专为严苛的功率转换和汽车环境而设计。它可用作 N 通道晶体管,用于控制大直流负载,适用于需要耐热性和稳健电气性能的表面贴装应用。

特性和优点：


• 800V 额定值支持高压开关操作
• 400A持续电流，支持重载应用
• 1.2mΩ 低 Rds(on) 可最大限度减少传导损耗
• 81W 功耗,可实现持久功率处理
• 80nC 栅极电荷支持可预测的开关控制
• 温度范围为-55°C至175°C,确保宽泛的耐热性

应用


• 适用于高压牵引变频器级别
• 适用于电池管理和配电
• 与符合AEC‐Q101要求的汽车电源转换器配合使用
• 可用于工业电机驱动开关
• 用于高电流直流-直流转换器拓扑结构

必须遵守哪些栅极电压限制？


该设备可在栅极和源之间接受高达 20V 的电压,并需要在该限值范围内进行适当的栅极驱动水平。

热管理应考虑哪种封装?


TO‐263表面贴装封装提供大型散热垫面积,用于散热和PCB散热。

该组件如何处理汽车认证?


它符合AEC‐Q101汽车测试标准,适用于车辆中使用的半导体设备。

符合哪些环境法规要求?


该组件符合RoHS对有限有害物质的要求。

通道传导类型和开关方向是什么?


它是一款 N 通道设备,专为传统高侧或低侧开关布局中的排放到源传导而配置。

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