制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=800 V, Id=400 A, 8针, TO-263, IPT系列

RS 库存编号:: 244-0903
制造商零件编号:: IPT020N10N5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=800 V, Id=400 A, 8针, TO-263, IPT系列

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RS 库存编号:: 244-0903
制造商零件编号:: IPT020N10N5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	400A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	TO-263
	系列	IPT
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.2mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	81W
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 400A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 TO-263
	系列 IPT
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 81W
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPT020N10N5ATMA1

MOSFET IPT020N10N5 采用 Infineon TO-Leadless 封装的 Infineon 工业电力场效应晶体管是高开关频率的理想选择。

非常适合高频开关和同步

出色的栅极电荷 x RDS（导通）产品（FOM）

超低导通电阻 RDS（导通）

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