Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=800 V, 400 A, TO-263, 表面安装, 8引脚, IPT系列

Bulk discount available

Subtotal (1 reel of 2000 units)*

¥31,612.00

(exc. VAT)

¥35,722.00

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
库存信息目前无法查询
Units
Per unit
Per Reel*
2000 - 2000RMB15.806RMB31,612.00
4000 - 4000RMB15.49RMB30,980.00
6000 +RMB15.026RMB30,052.00

*price indicative

RS Stock No.:
244-0903
Mfr. Part No.:
IPT020N10N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

400A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

IPT

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

MOSFET IPT020N10N5 采用 Infineon TO-Leadless 封装的 Infineon 工业电力场效应晶体管是高开关频率的理想选择。

非常适合高频开关和同步

出色的栅极电荷 x RDS(导通)产品(FOM)

超低导通电阻 RDS(导通)

超低导通电阻 RDS(导通)

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。