Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD65R225C7ATMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 244-0944
- 制造商零件编号:
- IPD65R225C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB19.745 | RMB39.49 |
| 10 - 98 | RMB19.265 | RMB38.53 |
| 100 - 248 | RMB18.815 | RMB37.63 |
| 250 - 498 | RMB18.36 | RMB36.72 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-0944
- 制造商零件编号:
- IPD65R225C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 的 CoolMOS C7 Power MOSFET 是技术上的革命性进步，可提供低 RDS（导通）/封装，并且由于其低开关损耗，可在整个负载范围内提高效率。TO-247 封装款型可提供全球最低的 19mΩ RDS（导通），TO-220 和 D2PAK 封装而可提供 45mΩ。C7 的快速开关性能现在可使客户在高于 100kHz 的开关频率下工作，同时在服务器 PFC 级中实现钛标准能效。
650V 电压
革命性同类最优 RDS（导通）/封装
输出电容（Eoss）中储存的能量减少
较低的栅极电荷 Qg
通过使用更小的封装或减少零件节省空间
提高了安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
最低的导通损耗/封装
低开关损耗
更好的轻负载效率
提高功率密度