Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

RMB193.75

(不含税)

RMB218.94

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 2,464 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
10 - 98RMB19.375
100 - 248RMB18.92
250 - 498RMB18.46
500 +RMB18.025

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
244-0944P
制造商零件编号:
IPD65R225C7ATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

180A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-252

系列

IPD

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon IPD 系列 MOSFET,40V 最大漏源电压,180A 最大连续漏电流 - IPD65R225C7ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流 N 通道晶体管,专为严苛环境中的表面贴装式电源开关而设计。它可为中等电压应用提供强大的排放到源处理,并可在宽温度范围内运行,因此适用于需要紧凑、高功率开关的工业和汽车环境。

特性和优点:


• 最大40V排放到源电压,支持中等电压电路
• 180A 连续漏电流,可实现高电流切换
• 1.2mΩ 低 Rds(on),可最大限度减少传导损耗
• 81W 最大功耗,可实现持久负载处理
• 80nC 典型栅极电荷,提供可预测的开关能量
• 0.9V 正向电压,可减少负载下的压降

应用


• 适用于汽车配电模块
• 适用于高电流直流电机驱动级
• 与电动汽车电池管理系统配套使用
• 可用于工业电源转换器
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件

可安全应用哪种栅极驱动振幅?


栅极可在指定限值范围内与电源相比驱动高达 20V。

该设备在运行过程中可承受的热量范围是多少?


它可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内工作,适合长时间使用。

电路板组装采用哪种安装方式?


它采用TO-252封装,适用于表面安装。

它是否符合汽车认证标准?


它符合汽车组件等级的 AEC-Q101 要求。

其制造是否有环境限制?


该设备符合限制有害物质的 RoHS 指令。

相关链接