Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSC系列

RS 库存编号:: 244-1555P
制造商零件编号:: BSC0901NSATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSC系列

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RS 库存编号:: 244-1555P
制造商零件编号:: BSC0901NSATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	381A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	SuperSO8 5 x 6
	系列	BSC
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 381A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 SuperSO8 5 x 6
	系列 BSC
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSC0901NSATMA1

Infineon BSC系列MOSFET,40V最大漏源电压,381A最大连续漏电流 - BSC0901NSATMA1

这款 MOSFET 是一款 N 通道半导体开关,专为紧凑型板上的高电流功率转换和表面贴装应用而设计。它能在宽温度范围内运行,适用于需要稳健的漏源性能和受控栅极驱动的应用场景。

特性和优点：

• 40V 最大漏源电压可实现中压功率级别
• 381A 连续漏电流支持高电流输送
• 0.7mΩ 低 Rds(on),可减少重负载下的传导损耗
• 81W 功耗可实现大量热处理
• 80nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关能量
• 20V 栅极额定值为控制提供宽栅极驱动空间

应用

• 适用于直流-直流转换器的初级开关级别
• 适用于高电流电源转换模块
• 适用于需要紧凑型 MOSFET 的表面贴装组件
• 可用于电源的同步整流
• 适用于高电流电池管理电路

其能在什么温度范围内运行？

它可在 -55°C 至 +150°C 温度范围内工作,适用于极端温度环境。

用于在紧凑型PCB上安装的封装方式是什么?

它采用 SuperSO8 5x6 mm 表面贴装封装,适用于密集布局。

栅极电荷对开关设计有何影响?

80nC 栅极电荷定义了驱动能量,并影响开关损耗和驱动器尺寸。

传导过程中的正向电压是多少?

正向电压指定为 1V,指示在规定条件下的传导下降。

是否有具体认证或环境标准?

它符合RoHS对受限物质的要求。