Infineon P型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD25DP06LMATMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 244-1590
- 制造商零件编号:
- IPD25DP06LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB5.744 | RMB28.72 |
| 10 - 95 | RMB5.57 | RMB27.85 |
| 100 - 245 | RMB5.402 | RMB27.01 |
| 250 - 495 | RMB5.24 | RMB26.20 |
| 500 + | RMB5.084 | RMB25.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-1590
- 制造商零件编号:
- IPD25DP06LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET OptiMOSTM 功率晶体管采用无铅镀层，符合 RoHS 标准，满足 IEC61249-2-21 的无卤素要求。
P 通道
超低导通电阻 RDS （导通）
100% 通过崩溃测试
正常能级
增强型