Infineon N型沟道 P型 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD系列
- RS Stock No.:
- 244-1595
- Mfr. Part No.:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Bulk discount available
Subtotal (1 reel of 2500 units)*
¥9,140.00
(exc. VAT)
¥10,327.50
(inc. VAT)
库存信息目前无法查询
Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB3.656 | RMB9,140.00 |
| 5000 - 5000 | RMB3.583 | RMB8,957.50 |
| 7500 + | RMB3.476 | RMB8,690.00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 244-1595
- Mfr. Part No.:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 P | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET 800V CoolMOS™ P7 系列在 800V 超结技术方面树立了新的标杆，并将同类最优性能与一流的易用性结合在一起，这是 Infineon 18 年来引领超结技术创新的结果。
同类最佳 FOM RDS(接通) * Eoss
同类最佳 DPAK RDS(接通)同
类最佳 V(GS) 3V
完全优化组合集成
齐纳二极管 ESD 保护