Infineon N型沟道 P型 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD80R1K2P7ATMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 244-1596P
- 制造商零件编号:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥79.14
(不含税)
¥89.43
(含税)
有库存
- 2,205 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB7.914 |
| 100 - 245 | RMB7.724 |
| 250 - 495 | RMB7.54 |
| 500 + | RMB7.356 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-1596P
- 制造商零件编号:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 P | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET 800V CoolMOS™ P7 系列在 800V 超结技术方面树立了新的标杆，并将同类最优性能与一流的易用性结合在一起，这是 Infineon 18 年来引领超结技术创新的结果。
同类最佳 FOM RDS(接通) * Eoss
同类最佳 DPAK RDS(接通)同
类最佳 V(GS) 3V
完全优化组合集成
齐纳二极管 ESD 保护