DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 11 A, SC-59, 表面安装, 3引脚, DMN1019USNQ-7, DMN系列
- RS 库存编号:
- 244-1912
- 制造商零件编号:
- DMN1019USNQ-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.89 | RMB72.25 |
| 50 - 75 | RMB2.803 | RMB70.08 |
| 100 - 225 | RMB2.718 | RMB67.95 |
| 250 - 975 | RMB2.637 | RMB65.93 |
| 1000 + | RMB2.558 | RMB63.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-1912
- 制造商零件编号:
- DMN1019USNQ-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | SC-59 | |
| 系列 | DMN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 41mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 50.6nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.2W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 宽度 | 1.7 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 SC-59 | ||
系列 DMN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 41mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 50.6nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最大功耗 Pd 1.2W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.1mm | ||
宽度 1.7 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodesZetex MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。其符合 PPAP 支持的 AEC-Q101，非常适合用于负载开关、直流-直流转换器和电源管理功能。
低导通电阻
ESD 保护门
完全无铅且全面符合 RoHS 标准
不含卤素和锑的环保器件