DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 10.7 A, 4-DSN3015-10, 表面安装, 10引脚, DMN12M8UCA10-7, DMN系列
- RS 库存编号:
- 244-1915
- 制造商零件编号:
- DMN12M8UCA10-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
¥111.075
(不含税)
¥125.525
(含税)
有库存
- 4,925 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB4.443 | RMB111.08 |
| 50 - 475 | RMB4.31 | RMB107.75 |
| 500 - 975 | RMB4.18 | RMB104.50 |
| 1000 + | RMB4.056 | RMB101.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-1915
- 制造商零件编号:
- DMN12M8UCA10-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | 4-DSN3015-10 | |
| 系列 | DMN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 41mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.73W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36.4nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.54 mm | |
| 长度 | 3.03mm | |
| 高度 | 0.16mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10.7A | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 4-DSN3015-10 | ||
系列 DMN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
最大漏源电阻 Rd 41mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.73W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36.4nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.54 mm | ||
长度 3.03mm | ||
高度 0.16mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodesZetex MOSFET 旨在最大限度地减少导通电阻，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
ESD 门保护
完全无铅且全面符合 RoHS 标准
不含卤素和锑的环保器件