Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 12 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 244-2257
- 制造商零件编号:
- AUIRFR024NTRL
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB6.982 | RMB20,946.00 |
| 6000 - 6000 | RMB6.843 | RMB20,529.00 |
| 9000 + | RMB6.706 | RMB20,118.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2257
- 制造商零件编号:
- AUIRFR024NTRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 75 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon AUIRFR024NTRL 专门设计用于汽车应用,这款 HEXFET® 功率 MOSFET 的单元设计利用最新处理技术,可实现每硅区域的低接通电阻。
高级平面技术,
低接通电阻,动态 dv/dt 额定值,
175°C 工作温度,
快速切换
,完全颤动额定值,
允许重复颤动,高达 Tjmax
无铅,符合 RoHS 标准,符合汽
车认证
低接通电阻,动态 dv/dt 额定值,
175°C 工作温度,
快速切换
,完全颤动额定值,
允许重复颤动,高达 Tjmax
无铅,符合 RoHS 标准,符合汽
车认证