Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=75 V, 12 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 244-2257
- 制造商零件编号:
- AUIRFR024NTRL
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2257
- 制造商零件编号:
- AUIRFR024NTRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon AUIRFR024NTRL 专门设计用于汽车应用,这款 HEXFET® 功率 MOSFET 的单元设计利用最新处理技术,可实现每硅区域的低接通电阻。
高级平面技术,
低接通电阻,动态 dv/dt 额定值,
175°C 工作温度,
快速切换
,完全颤动额定值,
允许重复颤动,高达 Tjmax
无铅,符合 RoHS 标准,符合汽
车认证