制造商编号

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 6.1 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN50R2K0CEATMA1, IPN系列

RS 库存编号:: 244-2263
制造商零件编号:: IPN50R2K0CEATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 6.1 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN50R2K0CEATMA1, IPN系列

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RS 库存编号:: 244-2263
制造商零件编号:: IPN50R2K0CEATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	6.1A
	最大漏源电压 Vd	75V
	包装类型	SOT-223
	系列	IPN
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	最大功耗 Pd	81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 6.1A
	最大漏源电压 Vd 75V
	包装类型 SOT-223
	系列 IPN
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	最大功耗 Pd 81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPN50R2K0CEATMA1

Infineon 的 CoolMOS™ CE Power MOSFET 是一个高电压功率 MOSFET 的技术平台，它根据超级结原理（SJ）设计，旨在满足消费者的要求。

由于 FOM Rdson Qg 和 Eoss 极低，损耗极低。

非常高的交换坚固性。

易于使用/驱动。

无铅镀层，无卤模制化合物。

符合标准等级应用要求。

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 6.1 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN50R2K0CEATMA1, IPN系列

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