Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=650 V, 3 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN60R2K0PFD7SATMA1, IPN系列
- RS 库存编号:
- 244-2267
- 制造商零件编号:
- IPN60R2K0PFD7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥27.61
(不含税)
¥31.20
(含税)
有库存
- 2,710 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB5.522 | RMB27.61 |
| 10 - 95 | RMB5.356 | RMB26.78 |
| 100 - 245 | RMB5.198 | RMB25.99 |
| 250 - 495 | RMB5.04 | RMB25.20 |
| 500 + | RMB4.888 | RMB24.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2267
- 制造商零件编号:
- IPN60R2K0PFD7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | IPN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 IPN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 超联 MOSFET（IPN60R2K0PFD7S）是对 CoolMOS™ 7 消费应用产品的补充。此产品系列专为超高功率密度以及最高效率设计而设计。
由于 FOM RDS（on）*Qg 和 RDS（on）*Eoss 极低，损耗极低
低切换损耗 Eoss，出色的热性行为
快速主体二极管
各式各样的 RDS（on）和封装型号
集成齐纳二极管