Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=650 V, 100 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN系列

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RS Stock No.:
244-2268
Mfr. Part No.:
IPN60R360PFD7SATMA1
Brand:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

IPN

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 超接合 MOSFET (IPN60R360PFD7S) 是对 CoolMOS™ 7 消费应用产品的补充IPN60R360PFD7S 采用 SOT-223 封装,RDS(on)为 360mΩ,因此切换损耗低。

超低 FOM RDS(on)x Eoss

集成坚固的快速主体二极管

高达 2kV ESD 保护

RDS(on)值范围广

出色的交换坚固性

低 EMI

各式各样的封装型号