Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=650 V, 100 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN60R360PFD7SATMA1, IPN系列
- RS 库存编号:
- 244-2269
- 制造商零件编号:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 10 - 95 | RMB3.86 | RMB19.30 |
| 100 - 245 | RMB3.768 | RMB18.84 |
| 250 - 495 | RMB3.676 | RMB18.38 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2269
- 制造商零件编号:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | IPN | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 IPN | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 超接合 MOSFET （IPN60R360PFD7S） 是对 CoolMOS™ 7 消费应用产品的补充IPN60R360PFD7S 采用 SOT-223 封装，RDS（on）为 360mΩ，因此切换损耗低。
超低 FOM RDS（on）x Eoss
集成坚固的快速主体二极管
高达 2kV ESD 保护
RDS（on）值范围广
出色的交换坚固性
低 EMI
各式各样的封装型号