制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=100 A, 3针, SOT-223, IPN系列

RS 库存编号:: 244-2269
制造商零件编号:: IPN60R360PFD7SATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=100 A, 3针, SOT-223, IPN系列

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10 - 95	RMB10.778	RMB53.89
100 - 245	RMB10.522	RMB52.61
250 - 495	RMB10.266	RMB51.33
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RS 库存编号:: 244-2269
制造商零件编号:: IPN60R360PFD7SATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	IPN
	包装类型	SOT-223
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	81W
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 IPN
	包装类型 SOT-223
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 81W
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 超接合 MOSFET （IPN60R360PFD7S）是对 CoolMOS™ 7 消费应用产品的补充IPN60R360PFD7S 采用 SOT-223 封装，RDS（on）为 360mΩ，因此切换损耗低。

超低 FOM RDS（on）x Eoss

集成坚固的快速主体二极管

高达 2kV ESD 保护

RDS（on）值范围广

出色的交换坚固性

低 EMI

各式各样的封装型号

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