Infineon N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=6 A, 3针, SOT-223, IPN系列

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RS 库存编号:
244-2270
制造商零件编号:
IPN60R600PFD7SATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

IPN

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 超联 MOSFET（IPN60R2K0PFD7S）是对 CoolMOS™ 7 消费应用产品的补充。此产品系列专为超高功率密度以及最高效率设计而设计。

由于 FOM RDS（on）*Qg 和 RDS（on）*Eoss 极低，损耗极低

低切换损耗 Eoss，出色的热性能

快速主体二极管

各式各样的 RDS（on）和封装型号

实现了高功率密度设计和小巧的外形尺寸

可在更高的切换频率下提高效率

出色的交换坚固性

易于选择合适的部件和优化设计

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