Infineon N沟道MOSFET, Vds=950 V, Id=6.1 A, 3针, SOT-223, IPN系列

RS 库存编号:: 244-2272
制造商零件编号:: IPN95R3K7P7ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=950 V, Id=6.1 A, 3针, SOT-223, IPN系列

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单位	每单位	每卷*
3000 - 3000	RMB2.661	RMB7,983.00
6000 - 6000	RMB2.608	RMB7,824.00
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* 参考价格

RS 库存编号:: 244-2272
制造商零件编号:: IPN95R3K7P7ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	6.1A
	最大漏源电压 Vd	950V
	包装类型	SOT-223
	系列	IPN
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	正向电压 Vf	0.9V
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	长度	2mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 6.1A
	最大漏源电压 Vd 950V
	包装类型 SOT-223
	系列 IPN
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	正向电压 Vf 0.9V
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	长度 2mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon IPN 系列 MOSFET,950V 漏源电压,81W 功耗 - IPN95R3K7P7ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为需要稳健排放源性能和宽温度耐受性的表面贴装应用而设计。它可在宽热范围内工作,适用于紧凑型 SOT-223 封装中需要大功率处理和栅极驱动公差的电路。

特性和优点：

• 950V 漏源能力,支持高压切换
• 3mΩ 低导通电阻,可减少传导损耗
• 6.1A 连续电流,支持中等负载电流
• 81W 功耗,可实现持久的热性能
• 80nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 20V 栅极容差允许常见栅极驱动电压

应用

• 适用于高压电源转换阶段
• 适用于工业电机驱动前端
• 用于开关模式电源初级开关
• 可用于需要认证的汽车电源系统
• 与热管理板上的紧凑型表面贴装组件配合使用

它在运行过程中能承受哪些极端热条件?

额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C。

该封装为 PCB 布局提供多少个引脚？

该设备采用 SOT-223 格式的三针配置。

哪些正向传导特性与低压降相关?

传导过程中典型正向电压为 0.9V。

该设备是否适用于汽车认证标准?

它符合汽车级用途的 AEC-Q101 要求。

指示处置和使用的环境合规性?

它符合 RoHS 标准。