Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=0.18 A, 3针, SOT-23, ISS系列

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RS 库存编号:
244-2277
Distrelec 货号:
304-40-557
制造商零件编号:
ISS55EP06LMXTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.18A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

ISS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌 P 沟道功率 MOSFET 具有设计灵活和易于操作的特点，可满足最高性能要求，包括 -12V 系列产品，完美适用于电池保护、极性反接保护、线性电池充电器、负载开关、直流 - 直流转换器和低电压驱动应用。

P 通道,

低接通电阻,RDS(接通

)100% 风险测试,

逻辑级别或正常级别,

增强模式,

无铅引线镀层; 符合 RoHS 标准

无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准

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