Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 0.18 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, ISS系列

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RS Stock No.:
244-2277
Mfr. Part No.:
ISS55EP06LMXTSA1
Brand:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

0.18A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-23

系列

ISS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-557

英飞凌 P 沟道功率 MOSFET 具有设计灵活和易于操作的特点,可满足最高性能要求,包括 -12V 系列产品,完美适用于电池保护、极性反接保护、线性电池充电器、负载开关、直流 - 直流转换器和低电压驱动应用。

P 通道,

低接通电阻,RDS(接通

)100% 风险测试,

逻辑级别或正常级别,

增强模式,

无铅引线镀层; 符合 RoHS 标准

无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准