Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 0.18 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, ISS系列
- RS 库存编号:
- 244-2278P
- 制造商零件编号:
- ISS55EP06LMXTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 30 件 (按连续条带形式提供)*
¥29.55
(不含税)
¥33.39
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 8,340 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 30 - 75 | RMB0.985 |
| 90 - 225 | RMB0.955 |
| 240 - 465 | RMB0.926 |
| 480 + | RMB0.899 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2278P
- 制造商零件编号:
- ISS55EP06LMXTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | ISS | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 0.18A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 ISS | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 P 沟道功率 MOSFET 具有设计灵活和易于操作的特点，可满足最高性能要求，包括 -12V 系列产品，完美适用于电池保护、极性反接保护、线性电池充电器、负载开关、直流 - 直流转换器和低电压驱动应用。
P 通道,
低接通电阻,RDS(接通
)100% 风险测试,
逻辑级别或正常级别,
增强模式,
无铅引线镀层; 符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准