Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 52 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, AIMW120R045M1XKSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 244-2910
- 制造商零件编号:
- AIMW120R045M1XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计(1 件)*
¥146.87
(不含税)
¥165.96
(含税)
有库存
- 610 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB146.87 |
| 10 - 39 | RMB146.06 |
| 40 - 79 | RMB145.28 |
| 80 - 119 | RMB144.47 |
| 120 + | RMB143.67 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2910
- 制造商零件编号:
- AIMW120R045M1XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 52A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 57nC | |
| 正向电压 Vf | 5.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 21.5 mm | |
| 长度 | 16.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 52A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
系列 CoolSiC | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 57nC | ||
正向电压 Vf 5.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 21.5 mm | ||
长度 16.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon AIMW120R045M1XKSA1 专门设计用于满足汽车行业在可靠性,质量和性能方面的高要求。使用 CoolSiC ™ MOSFET 的转换器的切换频率的增加可显著降低磁性组件的体积和重量,降低高达 25% ,从而显著提高应用本身的成本。性能的提高满足了电动汽车更高效率要求方面的新法规标准。
革命性的半导体材料 - 碳化硅 极低的切换损耗
无阈值接通状态特性 IGBT 兼容驱动电压 (15 V 用于开启)
0V 关闭栅极电压
基准栅极阈值电压, VGS (th) = 4.5 V
完全可控制 dv/dt
换向坚固的主体二极管,可随时用于同步整流温度独立关闭开关损耗
