制造商编号

Infineon N沟道MOS管, Vds=1200 V, 56 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚

RS 库存编号:: 244-2921
制造商零件编号:: IMW120R030M1HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOS管, Vds=1200 V, 56 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚

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制造商:: Infineon

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Datasheet - IMW120R030M1HXKSA1

Infineon IMW120R030M1HXKSA1 MOSFET 与传统基于硅 (Si) 的开关 (如 IGBT 和 MOSFET) 相比， SiC MOSFET 具有一系列优势。这些包括 1200 V 开关中的最低栅极电荷和器件电容水平，内部防换向主体二极管无反向恢复损耗，温度独立的低切换损耗和无阈值通态特性。

非常低的切换损耗
无阈值开启状态特性
宽栅源电压范围
基准栅极阈值电压， VGS (th) = 4.5 V
0V 关闭栅极电压，用于轻松简单的栅极驱动
完全可控制 dV/dt
坚固的主体二极管，用于硬换向
温度无关的关闭开关损耗

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	56 A
	最大漏源电压	1200 V
	封装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	每片芯片元件数目	1

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 56 A
	最大漏源电压 1200 V
	封装类型 TO-247
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	每片芯片元件数目 1

Infineon N沟道MOS管, Vds=1200 V, 56 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。