Infineon N型沟道 P型 MOSFET, Vds=75 V, 52 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, IMW系列
- RS 库存编号:
- 244-2922
- 制造商零件编号:
- IMW120R090M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2922
- 制造商零件编号:
- IMW120R090M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 52A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 系列 | IMW | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 52A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
系列 IMW | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 P | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IMW120R090M1HXKSA1 MOSFET 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟道半导体工艺构建，经过优化可将性能与可靠性相结合。与基于传统硅 (Si) 的开关 (如 IGBT 和 MOSFET) 相比， SiC MOSFET 具有一系列优势。这些包括 1200 V 开关中的最低栅极电荷和器件电容水平，内部防换向主体二极管无反向恢复损耗，温度独立的低切换损耗和无阈值通态特性。
非常低的切换损耗
无阈值开启状态特性
宽栅源电压范围
基准栅极阈值电压， VGS (th) = 4.5 V
0V 关闭栅极电压，用于轻松简单的栅极驱动
完全可控制 dV/dt
坚固的主体二极管，用于硬换向
温度无关的关闭开关损耗