Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=52 A, 3针, TO-247, IMW系列

RS 库存编号:: 244-2925
制造商零件编号:: IMW120R140M1HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=52 A, 3针, TO-247, IMW系列

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小计（1 管，共 240 件）*

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单位	每单位	Per Tube*
240 - 240	RMB28.931	RMB6,943.44
480 - 480	RMB28.723	RMB6,893.52
720 +	RMB28.682	RMB6,883.68

* 参考价格

RS 库存编号:: 244-2925
制造商零件编号:: IMW120R140M1HXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	52A
	最大漏源电压 Vd	75V
	包装类型	TO-247
	系列	IMW
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	通道模式	N
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	81W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 52A
	最大漏源电压 Vd 75V
	包装类型 TO-247
	系列 IMW
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	通道模式 N
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 81W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMW120R140M1HXKSA1

Infineon IMW120R140M1HXKSA1 MOSFET 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟道半导体工艺构建，经过优化可将性能与可靠性相结合。与基于传统硅 (Si) 的开关 (如 IGBT 和 MOSFET) 相比， SiC MOSFET 具有一系列优势。这些包括 1200 V 开关中的最低栅极电荷和器件电容水平，内部防换向主体二极管无反向恢复损耗，温度独立的低切换损耗和无阈值通态特性。

非常低的切换损耗

无阈值开启状态特性

宽栅源电压范围

基准栅极阈值电压， VGS (th) = 4.5 V

0V 关闭栅极电压，用于轻松简单的栅极驱动

完全可控制 dV/dt

坚固的主体二极管，用于硬换向

温度无关的关闭开关损耗

Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=52 A, 3针, TO-247, IMW系列

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