Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=75 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD050N10N5ATMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 244-8544
- 制造商零件编号:
- IPD050N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥41.32
(不含税)
¥46.70
(含税)
暂时缺货
- 1,566 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB20.66 | RMB41.32 |
| 10 - 98 | RMB20.16 | RMB40.32 |
| 100 - 248 | RMB19.68 | RMB39.36 |
| 250 - 498 | RMB19.205 | RMB38.41 |
| 500 + | RMB18.745 | RMB37.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-8544
- 制造商零件编号:
- IPD050N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET OptiMOSTM5 功率晶体管具有无铅引线电镀，符合 RoHS 标准，且无卤，符合 IEC61249-2-21 标准。
N 通道，正常电平
极佳的栅极电荷 x RDS(on) 产品 (FOM)
极低接通电阻 RDS (接通)
175 °C 工作温度
特别适用于高频切换