Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 244-8544P
- 制造商零件编号:
- IPD050N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB20.16 |
| 100 - 248 | RMB19.68 |
| 250 - 498 | RMB19.205 |
| 500 + | RMB18.745 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-8544P
- 制造商零件编号:
- IPD050N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IPD 系列 MOSFET,75V 最大漏源电压,180A 最大连续漏电流 - IPD050N10N5ATMA1
这款 MOSFET 是一款表面贴装 N 通道功率晶体管,专为严苛环境中的高电流开关而设计,具有宽工作温度耐受性并符合行业环境标准。
特性和优点:
• 75 V 最大漏源电压可实现中等电压切换
• 180A 连续漏电流支持高电流应用
• 3mΩ 低导通电阻可最大限度减少传导损耗
• 81W 功耗可实现持久热负载处理
• 80 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的栅极驱动要求
• 最大 20 V 栅极-源额定值,可适应强大的栅极驱动
• 180A 连续漏电流支持高电流应用
• 3mΩ 低导通电阻可最大限度减少传导损耗
• 81W 功耗可实现持久热负载处理
• 80 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的栅极驱动要求
• 最大 20 V 栅极-源额定值,可适应强大的栅极驱动
应用
• 适用于汽车配电装置
• 适用于工业设备中的直流-直流转换器
• 用于需要高电流的电机驱动级
• 可用于电池管理和保护
• 与表面安装组件上的电源开关阵列配合使用
• 适用于工业设备中的直流-直流转换器
• 用于需要高电流的电机驱动级
• 可用于电池管理和保护
• 与表面安装组件上的电源开关阵列配合使用
其能在什么温度范围内运行?
它能在 -55°C 至 175°C 的宽工作温度范围内运行,可耐受恶劣的热条件。
封装对安装和热性能有何影响?
TO-252 表面贴装封装结构紧凑,便于将热量传递到 PCB 上进行热管理。
哪些二极管特性与正向传导相关?
本质二极管在传导过程中具有约1.3V的正向电压。
它是否适用于有环境材料限制的应用?
它符合RoHS要求,符合对特定危险物质的限制要求。
它使用哪种通道方向和模式?
它采用 N 型通道,以增强模式运行,以实现标准电源开关行为。
