Infineon P型沟道 P型 MOSFET, Vds=75 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD380P06NMATMA1, IPD系列

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包装方式:
RS 库存编号:
244-8546
制造商零件编号:
IPD380P06NMATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

180A

最大漏源电压 Vd

75V

包装类型

TO-252

系列

IPD

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

通道模式

P

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-507

Infineon MOSFET OptiMOSTM 功率晶体管具有无铅引线电镀,符合 RoHS 标准,且无卤,符合 IEC61249-2-21 标准。

P 沟道

极低接通电阻 RDS (接通)

通过 100% 雪崩测试

正常水平

增强型模式