Infineon P型沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列

RS 库存编号:: 244-8546
Distrelec 货号:: 304-40-507
制造商零件编号:: IPD380P06NMATMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列

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RS 库存编号:: 244-8546
Distrelec 货号:: 304-40-507
制造商零件编号:: IPD380P06NMATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	180A
	最大漏源电压 Vd	75V
	包装类型	TO-252
	系列	IPD
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	通道模式	P
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 180A
	最大漏源电压 Vd 75V
	包装类型 TO-252
	系列 IPD
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	通道模式 P
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPD380P06NMATMA1

Infineon IPD 系列 MOSFET,75V 最大漏源电压,180A 最大连续漏电流 - IPD380P06NMATMA1

这款 MOSFET 是一款 P 通道功率晶体管,专为表面贴装应用中的高电流开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要提升热性能和电气性能的汽车和工业环境。

特性和优点：

• 75V 最大漏源电压可实现更高电压切换
• 3mΩ 低 Rds(on),可减少大电流流动过程中的传导损耗
• 180A 连续漏电流支持持久的高电流负载
• 81W 功耗可应对显著的热应力
• 80nC 典型栅极电荷,可实现受控开关能量管理
• 20V 最大栅极-源额定值可适应强大的栅极驱动级别

应用

• 适用于高电流直流配电级别
• 适用于满足车辆要求的汽车电源模块
• 用于电机驱动低侧或高侧开关
• 可用于恶劣环境中的板级电源管理
• 与电源组件中的热管理系统配套使用

在严苛环境中,它能承受的热量范围是多少?

额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适用于极端温度条件。

封装对安装和组装有何影响?

TO-252 表面贴装封装支持自动焊接和紧凑型板放置,适用于电源设计。

开关性能需要考虑哪些栅极因素?

典型栅极电荷为 80nC,因此栅极驱动器必须为预期开关速度提供足够的电荷。

支持其在车辆系统中的应用有哪些行业资格?

它符合汽车 AEC‐Q101 标准,适用于车辆应用中的组件。

对其使用有害物质是否有环境限制?

它符合 RoHS 限制特定危险材料的要求。