Infineon P型沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 244-8546P
- 制造商零件编号:
- IPD380P06NMATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB16.08 |
| 100 - 248 | RMB15.695 |
| 250 - 498 | RMB15.31 |
| 500 + | RMB14.945 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-8546P
- 制造商零件编号:
- IPD380P06NMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 P | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IPD 系列 MOSFET,75V 最大漏源电压,180A 最大连续漏电流 - IPD380P06NMATMA1
这款 MOSFET 是一款 P 通道功率晶体管,专为表面贴装应用中的高电流开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要提升热性能和电气性能的汽车和工业环境。
特性和优点:
• 75V 最大漏源电压可实现更高电压切换
• 3mΩ 低 Rds(on),可减少大电流流动过程中的传导损耗
• 180A 连续漏电流支持持久的高电流负载
• 81W 功耗可应对显著的热应力
• 80nC 典型栅极电荷,可实现受控开关能量管理
• 20V 最大栅极-源额定值可适应强大的栅极驱动级别
• 3mΩ 低 Rds(on),可减少大电流流动过程中的传导损耗
• 180A 连续漏电流支持持久的高电流负载
• 81W 功耗可应对显著的热应力
• 80nC 典型栅极电荷,可实现受控开关能量管理
• 20V 最大栅极-源额定值可适应强大的栅极驱动级别
应用
• 适用于高电流直流配电级别
• 适用于满足车辆要求的汽车电源模块
• 用于电机驱动低侧或高侧开关
• 可用于恶劣环境中的板级电源管理
• 与电源组件中的热管理系统配套使用
• 适用于满足车辆要求的汽车电源模块
• 用于电机驱动低侧或高侧开关
• 可用于恶劣环境中的板级电源管理
• 与电源组件中的热管理系统配套使用
在严苛环境中,它能承受的热量范围是多少?
额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适用于极端温度条件。
封装对安装和组装有何影响?
TO-252 表面贴装封装支持自动焊接和紧凑型板放置,适用于电源设计。
开关性能需要考虑哪些栅极因素?
典型栅极电荷为 80nC,因此栅极驱动器必须为预期开关速度提供足够的电荷。
支持其在车辆系统中的应用有哪些行业资格?
它符合汽车 AEC‐Q101 标准,适用于车辆应用中的组件。
对其使用有害物质是否有环境限制?
它符合 RoHS 限制特定危险材料的要求。
