Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=75 V, 180 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD系列
- RS 库存编号:
- 244-8548P
- 制造商零件编号:
- IPD65R660CFDAATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB13.62 |
| 100 - 248 | RMB13.30 |
| 250 - 498 | RMB12.975 |
| 500 + | RMB12.665 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-8548P
- 制造商零件编号:
- IPD65R660CFDAATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS MOSFET 是一项用于高电压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超接点 (SJ) 原理设计，并由 Infineon 技术率先推出。650V CoolMOS CFDA 系列结合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验和高级创新。由此产生的器件可提供快速切换 SJ MOSFET 的所有优势，同时提供极其快速和坚固的主体二极管。极低的切换，换向和传导损耗以及最高的坚固性相结合，使特别谐振切换应用更可靠，更高效，更轻，更凉爽。
超快主体二极管
非常高的换向坚固性
极低的损耗带来极低的损耗
易于使用 / 驱动
符合 AEC Q101 标准
绿色封装 (符合 RoHS 标准)