Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 244-8551P
- 制造商零件编号:
- IPD80R450P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB19.30 |
| 100 - 248 | RMB18.835 |
| 250 - 498 | RMB18.385 |
| 500 + | RMB17.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-8551P
- 制造商零件编号:
- IPD80R450P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IPD 系列 MOSFET,75V 漏源电压,180A 连续漏电流 - IPD80R450P7ATMA1
这款 MOSFET 是一款三引线 N 通道功率晶体管,专为表面贴装应用中的高电流开关而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于严苛条件,适用于需要低传导损耗和强大的栅极保护的场合。
特性和优点：
• 75V 漏电额定值可用于中压设计
• 180A 连续电流支持重负载切换
• 3mΩ的低导通电阻可降低导通损耗
• 81W 功耗,支持高功率操作
• 80nC 典型栅极电荷支持快速开关控制
• 20V 栅极容差提供栅极过电压保护
• 180A 连续电流支持重负载切换
• 3mΩ的低导通电阻可降低导通损耗
• 81W 功耗,支持高功率操作
• 80nC 典型栅极电荷支持快速开关控制
• 20V 栅极容差提供栅极过电压保护
应用
• 适用于汽车电源管理模块
• 适用于同步降压转换器设计
• 用于高电流电机驱动级
• 可用于电信配电装置
• 与电池管理和能量存储系统配合使用
• 适用于同步降压转换器设计
• 用于高电流电机驱动级
• 可用于电信配电装置
• 与电池管理和能量存储系统配合使用
它能承受哪些极端温度?
它的额定工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于指定条件。
它采用什么包装用于 PCB 组装？
它采用 TO‐252 表面贴装封装,用于焊接安装。
适用的栅极驱动因素有哪些?
该栅极可承受高达 20V 的电压,典型总栅极电荷为 80nC,适用于驱动尺寸。
它是否符合汽车可靠性标准?
它符合汽车组件认证的 AEC‐Q101 要求。
是否有环境合规性详细信息?
该设备符合 RoHS 标准,可限制有害物质。