ROHM N沟道MOS管, Vds=1200 V, 80 A, 托盘, 螺钉安装

查看所有MOSFET

小计（1 盒，共 12 件）*

¥29,746.788

(不含税)

¥33,613.872

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2026年5月12日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Box*
12 +RMB2,478.899RMB29,746.79

* 参考价格

RS 库存编号:
246-1500
制造商零件编号:
BSM080D12P2C008
制造商:
ROHM
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

ROHM

通道类型

N

最大连续漏极电流

80 A

最大漏源电压

1200 V

封装类型

托盘

安装类型

螺钉

ROHM BSM080D12P2C008 是由 Sic DMOSFET 和 Sic-SBD 组成的半桥模块,该电源模块提供低浪涌、低切换损耗、高速切换,可减少温度依赖性。Sic 半桥电源模块适用于电动机驱动反相器转换器、光伏风电发电感应加热器件等应用。

低浮动率
切换时的损失较低
可以进行高速切换
温度依赖性降低

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor