ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 10.7 A, TSMT-8, RQ7L055BG系列

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包装方式:
RS 库存编号:
246-3955P
制造商零件编号:
RQ7L055BGTCR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10.7A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

RQ7L055BG

包装类型

TSMT-8

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.6nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

ROHM N 沟道功率 MOSFET ,提供小型表面安装封装,且可用于开关应用。

低接通电阻

小型表面安装封装 (TSMT8)

无铅电镀

符合 RoHS