DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, U-DFN2020, 贴片安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 246-6766
- 制造商零件编号:
- DMC2053UFDB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥2,376.00
(不含税)
¥2,685.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年2月16日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB0.792 | RMB2,376.00 |
| 15000 + | RMB0.776 | RMB2,328.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-6766
- 制造商零件编号:
- DMC2053UFDB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.1 A，4.6 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | U-DFN2020 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.056 O，0.168 O | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 3.1 A，4.6 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 U-DFN2020 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 0.056 O，0.168 O | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
DiodesZetex 形成一个互补对增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装和 0.6mm 外形，使其特别适用于薄型应用。它提供快速切换和高效率。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。
最大排放到源电压为 20 V，最大门到源电压为 ±12 V，具有 4mm^2 的印刷电路板印迹， 提供低门临界电压，提供 ESD 保护门