DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 270 mA, U-DFN2020, 贴片安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 246-6786
- 制造商零件编号:
- DMN10H6D2LFDB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-6786
- 制造商零件编号:
- DMN10H6D2LFDB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 270 mA | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | U-DFN2020 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 10 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 270 mA | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 U-DFN2020 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 10 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
DiodesZetex 制造 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装。它提供快速切换和高效率。它提供 ESD 保护门（高达 1kV）。
最大排放到源电压为 100 V，最大门到源电压为 ±20 V，可提供低门临界电压，可提供低输入电容