DiodesZetex , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, UDFN-2020, 表面安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 246-6808
- 制造商零件编号:
- DMN3055LFDBQ-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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- RS 库存编号:
- 246-6808
- 制造商零件编号:
- DMN3055LFDBQ-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | UDFN-2020 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.075Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 0.81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 UDFN-2020 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.075Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 0.81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.2nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex 制造 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于满足汽车应用的严格要求。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装。它提供快速切换和高效率。
最大排放到源电压为 30 V，最大门到源电压为 ±12 V，提供低输入/输出泄漏，提供低输入电容