DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 4 A, PowerDI3333-8, 表面安装, 8引脚, DMN系列

暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货,RS 不再对该产品备货。
RS 库存编号:
246-6813
制造商零件编号:
DMN6069SFVW-7
制造商:
DiodesZetex
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerDI3333-8

系列

DMN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.1Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.73W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

8 V

最高工作温度

175°C

高度

0.85mm

宽度

2 mm

长度

2.7mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

DiodesZetex 制造 N 通道增强模式 MOSFET,设计用于最大程度地减少接通状态电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的切换性能,使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备,完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 powerDI3333-8 封装。它提供快速切换和高效率。

最大排放到源电压为 60 V,最大门到源电压为 ±20 V,具有小型外形和高热效封装,可实现更高密度的终端产品,具有小型外形和高热效封装,可实现更高密度的终端产品,用于增强光学检验的可湿侧面