DiodesZetex P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 10.7 A, UDFN-2020, 表面安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 246-6817
- 制造商零件编号:
- DMP2016UFDF-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥4,404.00
(不含税)
¥4,977.00
(含税)
暂时缺货
- 3,000 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB1.468 | RMB4,404.00 |
| 15000 + | RMB1.439 | RMB4,317.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-6817
- 制造商零件编号:
- DMP2016UFDF-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | UDFN-2020 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 41mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.73W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 2.05 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.63mm | |
| 长度 | 2.05mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10.7A | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 UDFN-2020 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 41mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最大功耗 Pd 1.73W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 2.05 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.63mm | ||
长度 2.05mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodesZetex 制造 P 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装和 0.6mm 外形，使其特别适用于薄型应用。它提供快速切换和高效率。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。
最大排放到源电压为 20 V，最大门到源电压为 ±8 V，具有 4mm^2 的 印刷电路板印迹， 提供低门临界电压，提供 ESD 保护门